Le 20 septembre, ChangXin Memory a annoncé la mise en production en série de la plateforme de la 5e génération $DRAM : l’espacement entre structures clés est ramené à 11,95 nm ; en se basant sur des puces de 8 Go, le nombre de puces par wafer (die bruts) augmente d’au moins 50 % ; deux modèles de 24 Go de LPDDR5X ont également été produits en série, avec une capacité supérieure de 50 % à celle des produits de la génération précédente du même type
Les produits mis en production en série révélés dans cette annonce sont le LPDDR5X, principalement destinés aux téléphones et aux appareils portables ; aucune information sur la mise en production en série du HBM n’a été observée.
Ces temps-ci, MU subit d’abord la concurrence sur les prix, les parts et les coûts de la mémoire DRAM mobile. Pour la mémoire des serveurs IA, la logique dépend toujours de l’homologation des clients HBM, des expéditions et de l’équilibre offre-demande.
Un autre détail : « le nombre de die bruts +50 % » intervient avant l’élimination des produits défectueux ; il ne faut donc pas le lire directement comme un volume de production vendable +50 %.
#美光 #长鑫存储 #存储芯片
Les produits mis en production en série révélés dans cette annonce sont le LPDDR5X, principalement destinés aux téléphones et aux appareils portables ; aucune information sur la mise en production en série du HBM n’a été observée.
Ces temps-ci, MU subit d’abord la concurrence sur les prix, les parts et les coûts de la mémoire DRAM mobile. Pour la mémoire des serveurs IA, la logique dépend toujours de l’homologation des clients HBM, des expéditions et de l’équilibre offre-demande.
Un autre détail : « le nombre de die bruts +50 % » intervient avant l’élimination des produits défectueux ; il ne faut donc pas le lire directement comme un volume de production vendable +50 %.
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