SK Hynix discute des moyens de collaborer avec Intel pour la production de puces mémoire aux États-Unis, une démarche qui marquerait sa première opération de fabrication de mémoire dans le pays.

Reuters, citant plusieurs sources, a rapporté le 16 septembre que SK Hynix et Intel ont récemment mené des discussions au sujet de la production de mémoire aux États-Unis.

SK Hynix a indiqué à Reuters qu’elle examinait un éventail d’options, notamment l’installation de bases de production supplémentaires, afin de renforcer la compétitivité de son activité mémoire. Aucune décision n’a été prise, a ajouté l’entreprise.

Une option actuellement examinée consiste pour SK Hynix à louer une partie de l’usine de fabrication de semi-conducteurs qu’Intel construit dans l’Ohio. Reuters a également indiqué qu’Intel, SK Hynix et de grands groupes cloud cherchant à sécuriser un approvisionnement stable en mémoire envisagent la possibilité de mettre en place une coentreprise.

Les discussions en sont encore à un stade précoce. Même si les deux parties parviennent à un accord, il n’a pas encore été déterminé si l’usine de l’Ohio produirait de la mémoire à large bande passante, de la DRAM ou de la mémoire flash NAND.

Séparément, SK Hynix investit 4 milliards de dollars en Indiana pour construire une installation de conditionnement HBM de nouvelle génération. L’usine en bout de chaîne assemblera des puces DRAM fabriquées en Corée du Sud et ailleurs en produits HBM.

Si la coopération avec Intel se concrétise, cela marquerait la première production de puces mémoire en amont de SK Hynix aux États-Unis.