20 de septiembre, ChangXin Memory anunció la producción en masa de la plataforma de quinta generación $DRAM : la distancia entre estructuras clave se reduce a 11,95 nm; tomando como referencia los chips de 8 Gb, el número de chips “sin defectos” por oblea (gross dice) aumenta al menos un 50%; ya se han producido en masa dos modelos de 24 Gb de LPDDR5X, con una capacidad un 50% mayor que la de los productos de la generación anterior de la misma categoría
En el anuncio se revela que el producto en producción en masa es LPDDR5X, principalmente destinado a teléfonos móviles y dispositivos portátiles; no aparece información sobre la producción en masa de HBM.
MU afronta recientemente la competencia en precios, cuota y costos de la DRAM móvil. La lógica de la memoria para servidores de IA aún depende de la certificación de clientes de HBM, los envíos y la oferta-demanda.
Hay otro detalle: el “+50% de chips” ocurre antes de eliminar los chips defectuosos, por lo que no debe interpretarse directamente como un +50% de la producción vendible.
#美光 #长鑫存储 #存储芯片
En el anuncio se revela que el producto en producción en masa es LPDDR5X, principalmente destinado a teléfonos móviles y dispositivos portátiles; no aparece información sobre la producción en masa de HBM.
MU afronta recientemente la competencia en precios, cuota y costos de la DRAM móvil. La lógica de la memoria para servidores de IA aún depende de la certificación de clientes de HBM, los envíos y la oferta-demanda.
Hay otro detalle: el “+50% de chips” ocurre antes de eliminar los chips defectuosos, por lo que no debe interpretarse directamente como un +50% de la producción vendible.
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