La curva de conmutación de la capacidad de DRAM de 1c es la verdadera baza decisiva en la guerra de HBM4E. La proporción de 1c de SK hynix pasó del 10% en el Q1 al 34% previsto para el Q4; para el próximo año, se estima que en el Q1 alcanzará el 35%, con lo cual oficialmente superará a 1b y se convertirá en el proceso principal. Este ritmo significa que SK hynix, en solo medio año, se está adelantando para completar con antelación el ajuste de producción en masa más difícil para HBM4E. Samsung HBM4 se va directamente a 1c para captar pedidos con parámetros de rendimiento; SK hynix usa 1b para mantener HBM4 estable, presionando la cuota hasta la franja de mediados del 50%, y luego concentra su enfoque en sacar adelante el rendimiento de 1c. Cuando llegue el momento en que HBM4E necesite 1c para el die principal, ya habrá superado la etapa más dolorosa de escalado. Cada oblea de 1c produce más bits, la ventaja en costos se diluye de inmediato y la rentabilidad de DRAM en la segunda mitad del año tiene respaldo. El siguiente punto a vigilar son los resultados del Q3: si la proporción de 1c es inferior al 24%, indica que el escalado del rendimiento se está topando con obstáculos y que el momento de producción en masa de HBM4E es dudoso; si supera el 30%, el roadmap de Samsung se verá obligado a ajustarse. El proceso de base que atraviese primero el infierno del rendimiento es, al final, el ganador definitivo de la guerra HBM.