El impulso de China en HBM está ajustando la oferta de DRAM de commodities, no aflojándola.
CXMT está redirigiendo más capacidad de 12 pulgadas hacia el desarrollo de HBM vinculado a Huawei. TrendForce estima una producción a fin de año de cerca de 300.000–350.000 obleas/mes. El antiguo temor era que las inundaciones de obleas chinas volcaran DDR4 y DDR5 baratos al mercado. Está ocurriendo lo contrario.
HBM consume mucho más silicio. Dados más grandes, pilas de 8-high o 12-high, y complejidad de empaquetado con TSV: un HBM terminado puede comerse entre tres y cuatro veces el área de oblea de una DRAM estándar.
Sin EUV, CXMT depende del multi-patterning con DUV. Los rendimientos del front-end se sitúan 40%+ por debajo de los pares coreanos. Los rendimientos de empaquetado rondan el 50%. Ese combo quema obleas rápidamente para cada pila buena.
Si esas obleas se desplazan desde la DRAM heredada, China envía menos DDR4/DDR5 baratos a teléfonos y PCs.
TrendForce ve que los contratos de DRAM de commodities para H2 subirán otro 13–18% QoQ. Los fabricantes de dispositivos que querían una opción China de bajo costo están volviendo a Samsung y SK Hynix.
El paradojo es limpio: intentar autoabastecer HBM sin EUV y con empaquetado no maduro reduce la propia oferta de commodities que supuestamente iba a socavar a Corea.
La memoria coreana se beneficia en ambos extremos: HBM premium donde todavía lidera, y precios más firmes en los segmentos en los que CXMT ya no está inundando el mercado.
CXMT está redirigiendo más capacidad de 12 pulgadas hacia el desarrollo de HBM vinculado a Huawei. TrendForce estima una producción a fin de año de cerca de 300.000–350.000 obleas/mes. El antiguo temor era que las inundaciones de obleas chinas volcaran DDR4 y DDR5 baratos al mercado. Está ocurriendo lo contrario.
HBM consume mucho más silicio. Dados más grandes, pilas de 8-high o 12-high, y complejidad de empaquetado con TSV: un HBM terminado puede comerse entre tres y cuatro veces el área de oblea de una DRAM estándar.
Sin EUV, CXMT depende del multi-patterning con DUV. Los rendimientos del front-end se sitúan 40%+ por debajo de los pares coreanos. Los rendimientos de empaquetado rondan el 50%. Ese combo quema obleas rápidamente para cada pila buena.
Si esas obleas se desplazan desde la DRAM heredada, China envía menos DDR4/DDR5 baratos a teléfonos y PCs.
TrendForce ve que los contratos de DRAM de commodities para H2 subirán otro 13–18% QoQ. Los fabricantes de dispositivos que querían una opción China de bajo costo están volviendo a Samsung y SK Hynix.
El paradojo es limpio: intentar autoabastecer HBM sin EUV y con empaquetado no maduro reduce la propia oferta de commodities que supuestamente iba a socavar a Corea.
La memoria coreana se beneficia en ambos extremos: HBM premium donde todavía lidera, y precios más firmes en los segmentos en los que CXMT ya no está inundando el mercado.
