Samsung va de las primeras en lo que respecta a la NVHBM personalizada de $NVDA — y la especificación es lo opuesto a lo que todos esperaban.
Seoul Economic Daily informa que Samsung está construyendo un apilado de 8 alturas de HBM4E para NVIDIA por solicitud de esta, en lugar de los productos de 12 alturas o 16 alturas que había preparado. La altura del stack se está recortando en aproximadamente un 33%. La velocidad objetivo es de 17–18 Gbps, aproximadamente un 22% más rápida que las muestras anteriores de 14,4 Gbps de Samsung.
Durante años, la carrera consistía en apilar más capas y aumentar la capacidad. Los stacks más altos significan matrices más delgadas, empaquetado más difícil y menores rendimientos. Una pieza de 8 alturas es más fácil de fabricar y más fácil de enviar en grandes volúmenes. NVIDIA parece estar intercambiando algo de capacidad por GPU a cambio de más unidades y mayor velocidad de pines.
Se espera que el producto llegue a Rubin Ultra, la siguiente generación de GPU de IA. Esa plataforma está diseñada para escalar conexiones GPU a GPU de 72 hasta un máximo de 576. Una memoria menor por chip puede compensarse conectando muchas GPU más rápidas.
La ventaja de Samsung aquí es la capacidad “lista para producción”. NVHBM necesita tanto DRAM como una base die basada en lógica. Samsung puede diseñar y fabricar ambas internamente. SK Hynix y Micron también están respondiendo, pero el informe sostiene que el enfoque de Samsung de fundición más memoria está mejor adaptado a una especificación personalizada.
NVIDIA no está abandonando el modelo de tres proveedores. Lo que está cambiando es la especificación: menos capas, mayor velocidad y una interfaz personalizada. En el siguiente ciclo, el volumen y el rendimiento pueden importar más que la altura máxima del stack.
¿Cuánto de la demanda de Rubin Ultra esperas que llegue con NVHBM de 8 alturas frente a stacks convencionales de HBM4E más altos?
Seoul Economic Daily informa que Samsung está construyendo un apilado de 8 alturas de HBM4E para NVIDIA por solicitud de esta, en lugar de los productos de 12 alturas o 16 alturas que había preparado. La altura del stack se está recortando en aproximadamente un 33%. La velocidad objetivo es de 17–18 Gbps, aproximadamente un 22% más rápida que las muestras anteriores de 14,4 Gbps de Samsung.
Durante años, la carrera consistía en apilar más capas y aumentar la capacidad. Los stacks más altos significan matrices más delgadas, empaquetado más difícil y menores rendimientos. Una pieza de 8 alturas es más fácil de fabricar y más fácil de enviar en grandes volúmenes. NVIDIA parece estar intercambiando algo de capacidad por GPU a cambio de más unidades y mayor velocidad de pines.
Se espera que el producto llegue a Rubin Ultra, la siguiente generación de GPU de IA. Esa plataforma está diseñada para escalar conexiones GPU a GPU de 72 hasta un máximo de 576. Una memoria menor por chip puede compensarse conectando muchas GPU más rápidas.
La ventaja de Samsung aquí es la capacidad “lista para producción”. NVHBM necesita tanto DRAM como una base die basada en lógica. Samsung puede diseñar y fabricar ambas internamente. SK Hynix y Micron también están respondiendo, pero el informe sostiene que el enfoque de Samsung de fundición más memoria está mejor adaptado a una especificación personalizada.
NVIDIA no está abandonando el modelo de tres proveedores. Lo que está cambiando es la especificación: menos capas, mayor velocidad y una interfaz personalizada. En el siguiente ciclo, el volumen y el rendimiento pueden importar más que la altura máxima del stack.
¿Cuánto de la demanda de Rubin Ultra esperas que llegue con NVHBM de 8 alturas frente a stacks convencionales de HBM4E más altos?
