Samsung Electronics presentó su prototipo de V10 Bonding V-NAND, o BV-NAND, en la conferencia Future of Memory and Storage en Santa Clara, California, el 4 de agosto, en horario del Este de EE. UU. Según PANews, el chip tiene más de 400 capas y utiliza una nueva arquitectura de unión de obleas para aumentar la densidad de almacenamiento y mejorar el rendimiento.

Samsung indicó que su tecnología BV-NAND eleva la densidad de almacenamiento en aproximadamente un 58% en comparación con su NAND V9 anterior, además de mejorar el rendimiento de lectura, escritura y entrada/salida. La empresa afirmó que la tecnología está diseñada para satisfacer la creciente demanda de los sistemas de IA de soluciones de almacenamiento de mayor capacidad y más eficientes en energía.

Samsung también mostró modelos conceptuales de lo que dijo que eran las primeras arquitecturas zHBM y zNAND-O de la industria. La tecnología almacena más datos en un espacio más pequeño al apilar verticalmente celdas de memoria.