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①SK海力士高管最新表示，人工智能半導體時代中，除HBM本身性能外，封裝技術的影響越來越大；②人工智能半導體制作中，因爲存儲器其先於其他器件組裝到中介層，所以其可靠性要求更高；③SK海力士正研發下一代封裝技術以及區域冷卻技術以應對HBM的發展需求。
人工智能數據中心使用的高帶寬內存（HBM）技術正在出現重大轉向。 $SK海力士 (SKHY.US)$ 美國公司副總裁Lee Jae-sik最新表示，未來行業不僅需要關注HBM本身，還需要關注封裝技術如何影響HBM。
Lee在當地時間23日出席了美國斯坦福大學舉行的半導體會議Hot Chips 2026，並發表了題爲「HBM的高科技封裝」演講。他表示，在人工智能半導體時代，爲了確保競爭力，不僅HBM本身的性能需要優化，GPU、封裝和代工工藝也必須進行優化。
目前，SK海力士的HBM採用三維堆疊式設計，通過硅通孔將多個核心芯片連接到一個基底芯片上。HBM目前最高可達16層堆疊。封裝技術則採用了MR+MUF（回流焊+注塑底部填充）。
相比於TC+NCF（熱壓+非導電薄膜），MR+MUF生產效率更高，熱阻更低，但更容易發生芯片翹曲，並且存在間隙填充方面的不足。但SK海力士結合了翹曲控制和精細間距集成及窄間隙填充新技術，成功提高了現有HBM的性能。
SK海力士還在開發混合鍵合封裝技術，以實現超越16層堆疊的20層或更多層的目標。該技術可在相同高度下將核心芯片厚度增加高達24%，並通過消除現有微凸點並直接連接芯片，將凸點間距縮小至18微米以下。此外，該技術有望通過更高效的散熱來減少發熱問題。
攜手優化的時代
與現有存儲器不同，HBM在人工智能半導體中首先被組裝到中介層上。Lee指出，過去存儲器是在系統組裝的最後階段安裝的，但在人工智能時代截然不同，這要求HBM的可靠性更加重要。
他補充稱，HBM必須承受後續工藝中產生的熱量和機械應力，因此與客戶進行聯合開發至關重要。這也意味着，內存廠商、GPU設計商、代工廠和封裝廠商必須從一開始就進行協同設計。
SK海力士還在會上發佈了一項用於冷卻HBM內部特定區域「熱點」的技術。Lee表示，HBM的輸入/輸出速度越快，熱量就越集中在某些區域。正在開發的iHBM技術通過添加耐高溫導熱材料，只對熱量集中的區域進行集中冷卻，而非對整個HBM進行冷卻。
他還指出，HBM的帶寬和容量未來將繼續增長，但發熱、功耗和封裝將成爲更大的挑戰，這要求客戶、代工廠和封裝公司必須攜手優化。

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