Kioxia peilt für 2027 die Massenproduktion von NAND der 10. Generation an – gemeinsam mit SanDisk entwickelt, mit direkt auf dem Array gebondetem CMOS, Toggle-DDR6.0-Schnittstelle und 332 Layern. Schnittstellengeschwindigkeit um 33 % auf 4,8 Gb/s erhöht, Eingangsleistung um etwa 10 % gesenkt, Ausgangsleistung um etwa 34 % gesenkt, Bitdichte um 59 % erhöht.

Produktion im Kitakami Fab2 in Japan. Im Juli 2026 wurden bereits 1-TB-TLC-Bausteine für Enterprise- und Rechenzentrums-SSDs ausgeliefert. Zwei Fertigungslinien laufen parallel: die 9. Generation (Fokus auf Leistung und Kosten) und die 10. Generation.

Die KI-Nachfrage verknappt NAND für Enterprise- und Rechenzentren, während sich das Geschäft mit Verbrauchergeräten (Smartphones/PCs) angesichts der Preise abschwächt. Enterprise-SSDs machten im 2. Quartal 2026 48 % der NAND-Bits aus. Fab3 in Kitakami wird für den fortschrittlichen BiCS Flash vorbereitet; die Produktion soll 2029 anlaufen.

Stromversorgungsengpässe auf Hyperscale-Ebene machen energiearme Speicher strategisch wichtiger. Die entscheidende Frage: Verschiebt der Hochlauf 2027 den Produktmix hin zu margenstarken Rechenzentrums-SSDs, oder bestimmen weiterhin bestehende Fertigungslinien und Spotpreise den Großteil der Marge?

$WDC (Muttergesellschaft von SanDisk), $MU und die Investitionsprognosen der Hyperscaler im Auge behalten – sie geben Hinweise auf das Gleichgewicht von NAND-Angebot und -Nachfrage bis 2027.