TSMC muss keine DRAM-Zellen herstellen, um mit HBM mehr Wert abzuschöpfen.
Die gemeldete 3D-DRAM-Initiative bleibt unbestätigt. Aber $TSM hat bereits eine konkretere Rolle: fortschrittliche Logik für HBM4-Base-Dies und CoWoS-Verpackung für KI-Beschleuniger.
SK hynix hat seine Zusammenarbeit mit TSMC bei der HBM4-Base-Die-Technologie bestätigt.
Das verändert, wie Anleger die HBM-Ökonomie betrachten sollten.
Da Speicherstapel immer komplexer werden, verlagert sich ein größerer Teil der Entwicklungs- und Fertigungsarbeit über die DRAM-Dies selbst hinaus.
Die Speicheranbieter behalten weiterhin entscheidende Fähigkeiten in DRAM-Prozessen, Stapelung, Ausbeute und Qualifizierung. Doch TSMC kann zusätzliche Fertigungserlöse erzielen, ohne die volle Wirtschaftlichkeit der Massenproduktion von Speicherchips zu übernehmen.
Die Frage für $MU, Samsung und SK hynix ist nicht, ob TSMC sie plötzlich ersetzen wird.
Es geht darum, ob die zukünftigen HBM-Verkaufspreise schneller steigen als die Kosten für ausgelagerte Logik, fortschrittliche Verpackung und die zunehmend anspruchsvolle Integration.
Höhere HBM-Umsätze bedeuten nicht automatisch einen proportionalen Anstieg des von den Speicherherstellern abgeschöpften Werts.
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