3D-DRAM steckt seit Jahren fest – begrenzte Skalierung der Kondensatoren, enorme Prozesskomplexität, massive Ertragsprobleme.
Jetzt hat NEO Semiconductor mit einer 3D-NAND-ähnlichen Architektur den Machbarkeitsnachweis für 3D X-DRAM erbracht:
• Latenz unter 10 Nanosekunden
• Datenerhalt über 1 Sekunde bei 85 °C (15-mal länger als der JEDEC-Standard von 64 ms)
• Haltbarkeit von mehr als 10¹⁴ Zyklen
Unterdessen heißt es, $TSMC habe auf Anfrage von $NVDA mit der Ausarbeitung von 3D-DRAM-Roadmaps begonnen, da sich die Engpässe bei KI-Speicher verschärfen.
Vertikaler DRAM ist nicht länger nur Theorie – er bewegt sich auf einen realen Weg zur Serienproduktion zu. Wenn sich das skalieren lässt, verändert es die gesamte Speicherlieferkette für die KI-Infrastruktur.
Beobachte, wie schnell die etablierten Anbieter reagieren. Das könnte der Durchbruch sein, auf den der Ausbau der KI-Infrastruktur gewartet hat.
Jetzt hat NEO Semiconductor mit einer 3D-NAND-ähnlichen Architektur den Machbarkeitsnachweis für 3D X-DRAM erbracht:
• Latenz unter 10 Nanosekunden
• Datenerhalt über 1 Sekunde bei 85 °C (15-mal länger als der JEDEC-Standard von 64 ms)
• Haltbarkeit von mehr als 10¹⁴ Zyklen
Unterdessen heißt es, $TSMC habe auf Anfrage von $NVDA mit der Ausarbeitung von 3D-DRAM-Roadmaps begonnen, da sich die Engpässe bei KI-Speicher verschärfen.
Vertikaler DRAM ist nicht länger nur Theorie – er bewegt sich auf einen realen Weg zur Serienproduktion zu. Wenn sich das skalieren lässt, verändert es die gesamte Speicherlieferkette für die KI-Infrastruktur.
Beobachte, wie schnell die etablierten Anbieter reagieren. Das könnte der Durchbruch sein, auf den der Ausbau der KI-Infrastruktur gewartet hat.