Reuters exklusiv: Chinas „Nationalteam“ der Speicherbranche, ChangXin Memory Technologies (CXMT), steht kurz davor, auf der HBM3E-Strecke einen entscheidenden Schritt zu machen.
Zwei mit der Angelegenheit vertraute Personen teilten mit, dass ChangXin HBM3E-Muster an mehrere chinesische KI-Chipdesigner geliefert habe. In den kommenden zwei Monaten soll voraussichtlich die Kleinserien-Pilotproduktion anlaufen. Damit steht Chinas erste vollständig eigenständige Produktionslinie für High-End-HBM-Speicher kurz vor dem Start.
HBM (High Bandwidth Memory) ermöglicht durch vertikales Stapeln extrem schnelle Datenübertragung. Der Speicher ist der „goldene Partner“ von Spitzenkarten für KI-Rechenleistung wie Nvidias H100 und H200 und zugleich eine unverzichtbare Ressource für das Training großer Modelle. Seit Langem wird dieses Hochtechnologiesegment von den drei Giganten SK Hynix, Samsung und Micron beherrscht.
Mit dem Vorstoß in den HBM3E-Markt (HBM der fünften Generation) zielt ChangXin direkt auf die derzeit gängige Produktgeneration. Die Muster wurden bereits zur Validierung an nachgelagerte Unternehmen geliefert. Das bedeutet, dass die gesamte Kette von Design und Fertigung bis hin zu Gehäusemontage, Test und Anwendung bald geschlossen sein könnte. Für chinesische KI-Chiphersteller ist das nicht nur der Wechsel vom Ersatzplan zur ersten Wahl, sondern auch ein strategischer Erfolg: Sie können sich von der Angst vor einem „Flaschenhals“ befreien und sich eine verlässliche Grundlage für Rechenleistung sichern.
Von seinem Durchbruch bei DDR4 über die Massenproduktion von LPDDR5X bis hin zum heutigen Vorstoß an die HBM-Spitze – ChangXin hat in zehn Jahren den Rückstand aufgeholt. Die nächste harte Bewährungsprobe: die Steigerung der Ausbeute und die Zertifizierung durch Großkunden.
Zwei mit der Angelegenheit vertraute Personen teilten mit, dass ChangXin HBM3E-Muster an mehrere chinesische KI-Chipdesigner geliefert habe. In den kommenden zwei Monaten soll voraussichtlich die Kleinserien-Pilotproduktion anlaufen. Damit steht Chinas erste vollständig eigenständige Produktionslinie für High-End-HBM-Speicher kurz vor dem Start.
HBM (High Bandwidth Memory) ermöglicht durch vertikales Stapeln extrem schnelle Datenübertragung. Der Speicher ist der „goldene Partner“ von Spitzenkarten für KI-Rechenleistung wie Nvidias H100 und H200 und zugleich eine unverzichtbare Ressource für das Training großer Modelle. Seit Langem wird dieses Hochtechnologiesegment von den drei Giganten SK Hynix, Samsung und Micron beherrscht.
Mit dem Vorstoß in den HBM3E-Markt (HBM der fünften Generation) zielt ChangXin direkt auf die derzeit gängige Produktgeneration. Die Muster wurden bereits zur Validierung an nachgelagerte Unternehmen geliefert. Das bedeutet, dass die gesamte Kette von Design und Fertigung bis hin zu Gehäusemontage, Test und Anwendung bald geschlossen sein könnte. Für chinesische KI-Chiphersteller ist das nicht nur der Wechsel vom Ersatzplan zur ersten Wahl, sondern auch ein strategischer Erfolg: Sie können sich von der Angst vor einem „Flaschenhals“ befreien und sich eine verlässliche Grundlage für Rechenleistung sichern.
Von seinem Durchbruch bei DDR4 über die Massenproduktion von LPDDR5X bis hin zum heutigen Vorstoß an die HBM-Spitze – ChangXin hat in zehn Jahren den Rückstand aufgeholt. Die nächste harte Bewährungsprobe: die Steigerung der Ausbeute und die Zertifizierung durch Großkunden.