Laut CNBC rüsten Samsung Electronics und SK Hynix ihre Werke in China auf, um fortschrittlichere NAND-Speicherchips herzustellen. Das berichteten mit den Plänen vertraute Personen. Samsung baut sein Werk in Xi’an um, damit dort V9-Chips mit 286 Schichten produziert werden können. Ziel ist eine monatliche Produktion von 5.000 Wafern im Dezember dieses Jahres und 40.000 bis Dezember 2027. SK Hynix plant, sein Werk in Dalian von Produkten mit 192 Schichten auf Chips mit 240 oder mehr Schichten umzustellen. Beide Unternehmen erklärten, die Aufrüstungen seien im Gange und würden in Abstimmung mit Washington durchgeführt. Nach den US-Exportbestimmungen sind für bestimmte Anlagen jährliche Genehmigungen erforderlich. Reuters konnte nicht feststellen, ob die US-Behörden alle für die geplanten Aufrüstungen benötigten Anlagen genehmigt hatten.