Musk hat mit seinem kurzen Beitrag von gestern Abend die Angst am Halbleitermarkt noch verstärkt. Heute legte der koreanische Aktienmarkt erneut eine Vollbremsung hin.

Der Grund dafür ist, dass ChangXin Memory Technologies (CXMT) aus China in letzter Zeit große Fortschritte gemacht hat und mittlerweile etwa 9–10 % des weltweiten DRAM-Umsatzes auf sich vereint. Erst vor wenigen Tagen verkündete der Präsident des Unternehmens Fortschritte bei einer neuen Architektur. Ende 2026 sollen DDR5-Server-Speicher auf Basis dieser Technologie auf den Markt kommen.

Im englischsprachigen Raum wurde das so interpretiert, dass China bei Server-DRAM womöglich früher aufholen oder sogar die Führung übernehmen könnte. Samsung dürfte eine ähnliche Technologie erst etwa 2028 einführen.

Daraufhin fielen die Aktien von Speicherherstellern wie Micron und SanDisk an diesem Tag geschlossen.

Manche hielten den Kursrückgang für unbegründet: Eine Ankündigung bedeute noch nicht, dass die Produkte tatsächlich in Masse hergestellt werden könnten. Selbst bei hohen Ausbeuten und niedrigen Kosten sei die KI-Nachfrage derzeit so groß, dass zusätzliches Angebot den Bedarf nicht decken könne. Schließlich handle es sich um gewöhnlichen DDR5-Speicher und nicht um das deutlich profitablere HBM.

Musk bremste die Euphorie jedoch deutlich. Seiner Ansicht nach kann China die Produktion oft schneller hochfahren als der Rest der Welt zusammen, sobald es ein Herstellungsverfahren für ein Produkt beherrscht. Lithium-Ionen-Batterien und Solarmodule seien Beispiele dafür.

SpaceX sei eine der wenigen Ausnahmen. Doch abgesehen von SpaceX entfalle inzwischen der Großteil der weltweit in den Orbit gebrachten Raketen- und Satellitenmasse auf China.

Er vermutet, dass es beim Speicher ähnlich laufen könnte. Schließlich war Speicher vor drei Jahren noch ein margenschwaches Massenprodukt. Bei standardisierten, gewöhnlichen Speichern wie LPDDR5 und LPDDR6 scheint China die Probleme schnell lösen zu können.

Schwieriger werde es bei fortschrittlicheren Technologien, etwa neuen HBM-Architekturen, SRAM-Schichten unter Logikchips oder der Kühlung von Speicher.