Samsung Electronics weitet den Einsatz seines NAND-Flash-Speichers der nächsten Generation, zNAND, aus und plant, die Produktlinie neben dem bereits vorgestellten zNAND-O in drei Varianten aufzuteilen: zNAND-O, zNAND-T und zNAND-I. Laut ChainCatcher hat das Unternehmen die beiden letztgenannten Produkte noch nicht offiziell angekündigt. Branchenquellen zufolge befinden sich die Pläne jedoch in einer frühen Entwicklungsphase, um der steigenden Nachfrage nach maßgeschneiderten Speicherlösungen für KI-Infrastrukturen gerecht zu werden.

zNAND-O ist auf Edge-KI ausgerichtet. Anders als beim herkömmlichen Drahtbonden werden bei diesem Design NAND-Speicher in vier oder acht Ebenen mithilfe von Through-Silicon-Vias vertikal gestapelt. Das verkürzt die Datenpfade und verbessert Geschwindigkeit und Energieeffizienz. Samsung stellte im August auf einer US-amerikanischen Veranstaltung zum Thema Speicher erstmals ein zNAND-O-Modell vor.

zNAND-T ist auf hohen Durchsatz für KI-Rechenzentren mit hoher Kapazität und Leistung ausgelegt und nutzt ebenfalls vertikales Stapeln sowie Through-Silicon-Vias, um die Bandbreite zu erhöhen. Branchenquellen bezeichnen es als Flash-Speicher mit hoher Bandbreite. zNAND-I wurde entwickelt, um die Anzahl der Ein-/Ausgabeoperationen pro Sekunde zu steigern und häufige Verarbeitung kleiner temporärer Datenmengen zu bewältigen, etwa von Key-Value-Caches, die bei KI-Inferenz zum Einsatz kommen. Dem Bericht zufolge entwickelt SK Hynix außerdem eigene KI-NAND-Produktlinien, darunter AIN P, AIN D und AIN B.