Samsung Electronics' Executive Vice President Kim Taewoo sagte am Dienstag, dass High-Bandwidth-Speicher nächstes Jahr nahezu 30% der gesamten Waferkapazität der DRAM-Hersteller ausmachen wird, verglichen mit etwa 20% derzeit. Laut Sina Finance sagte er, HBM konkurriere mit dem Standard-DRAM um dieselbe Waferkapazität, was bedeuten könnte, dass ein höherer HBM-Ausstoß die Versorgung mit Standard-DRAM begrenzen könnte. HBM ist ein wesentlicher Bestandteil für das Computing mit künstlicher Intelligenz und besteht aus vertikal gestapelten Speicherchips, die es Prozessoren ermöglichen, große Datenmengen in hoher Geschwindigkeit abzurufen. Der Markt wird derzeit von SK Hynix und Samsung Electronics aus Südkorea sowie dem in den USA ansässigen Micron Technology dominiert.