Samsung baut seine Kapazität für die Reinigung von Glass Carrier von 20.000 Wafern pro Monat in diesem Jahr auf 50.000 im nächsten Jahr aus — ein Sprung um das 2,5-Fache, der auf mindestens 2x mehr HBM4- und HBM4E-Produktion im Jahr 2025 hindeutet.
Glass Carrier sind temporäre Platten, die unter HBM-DRAM-Wafern während des Dünnens und Bohrens angebondet werden. Dünnere Dies = strengerer Warp-Controll = höhere Stapel. HBM4 und HBM4E laufen mit 12 High und darüber, daher spielen die Carrier eine Rolle.
HBM4 auf 1c-DRAM + 4-nm-Base-Die startet seit Februar mit dem Versand. In May trafen erste 12-high-HBM4E-Muster bei $NVDA und anderen ein.
Insgesamt wird mit einem Anstieg der HBM-Waferstarts um ~40% YoY gerechnet (180k/Monat → 250k/Monat). Doch der Mix der HBM4-Familie springt von ~40% in diesem Jahr auf ~80% im nächsten Jahr, sobald HBM4E skaliert.
Wenn also die Carrier-Reinigungen um das 2,5-Fache steigen, die gesamten HBM-Wafer aber nur um 40%, wohin geht dann das zusätzliche Glas? Entweder in den Ramp-up des 12-high-HBM4E-Volumens oder in Ertragsverluste beim Dünnungsschritt.
Wie auch immer: Samsung setzt stark auf HBM der nächsten Generation. Mehr Glas unter dem Wafer = 12-high-Stapel, ohne das Die zu beschädigen.
Glass Carrier sind temporäre Platten, die unter HBM-DRAM-Wafern während des Dünnens und Bohrens angebondet werden. Dünnere Dies = strengerer Warp-Controll = höhere Stapel. HBM4 und HBM4E laufen mit 12 High und darüber, daher spielen die Carrier eine Rolle.
HBM4 auf 1c-DRAM + 4-nm-Base-Die startet seit Februar mit dem Versand. In May trafen erste 12-high-HBM4E-Muster bei $NVDA und anderen ein.
Insgesamt wird mit einem Anstieg der HBM-Waferstarts um ~40% YoY gerechnet (180k/Monat → 250k/Monat). Doch der Mix der HBM4-Familie springt von ~40% in diesem Jahr auf ~80% im nächsten Jahr, sobald HBM4E skaliert.
Wenn also die Carrier-Reinigungen um das 2,5-Fache steigen, die gesamten HBM-Wafer aber nur um 40%, wohin geht dann das zusätzliche Glas? Entweder in den Ramp-up des 12-high-HBM4E-Volumens oder in Ertragsverluste beim Dünnungsschritt.
Wie auch immer: Samsung setzt stark auf HBM der nächsten Generation. Mehr Glas unter dem Wafer = 12-high-Stapel, ohne das Die zu beschädigen.
