ستقوم سامسونج بإدخال معدات ASML عالية الـNA للأشعة فوق البنفسجية القصوى (EUV) إلى إنتاج DRAM بحلول 2028
تخطط سامسونج لاستخدام $ASMLB عالية الـNA في تصنيع شرائح DRAM عالية الحجم في المستقبل بحلول عام 2028، وهو ما تقول الشركات إنه سيكون الأول من نوعه في الصناعة.
كما تنضم سامسونج إلى مبادرة لنقل قوالب/استنسخات التصوير الضوئي للرقائق (photomasks) من التنسيق القياسي 6 بوصات إلى 12 بوصة، بهدف تحسين إنتاجية المصنع (fab)، وتقليل تكاليف التصنيع، والقضاء على قيود “التلحيم/التثبيت” (stitching) في إنتاج الـEUV عالي الـNA.
ويمتد هذا التعاون الموسع ليشمل كلًا من الذاكرة المتقدمة وتصنيع أشباه الموصلات من الجيل التالي
#BinanceTurns8 .
تخطط سامسونج لاستخدام $ASMLB عالية الـNA في تصنيع شرائح DRAM عالية الحجم في المستقبل بحلول عام 2028، وهو ما تقول الشركات إنه سيكون الأول من نوعه في الصناعة.
كما تنضم سامسونج إلى مبادرة لنقل قوالب/استنسخات التصوير الضوئي للرقائق (photomasks) من التنسيق القياسي 6 بوصات إلى 12 بوصة، بهدف تحسين إنتاجية المصنع (fab)، وتقليل تكاليف التصنيع، والقضاء على قيود “التلحيم/التثبيت” (stitching) في إنتاج الـEUV عالي الـNA.
ويمتد هذا التعاون الموسع ليشمل كلًا من الذاكرة المتقدمة وتصنيع أشباه الموصلات من الجيل التالي
#BinanceTurns8 .