1c DRAM 的 Kapazitäts-Umschaltkurve ist der eigentliche Entscheidungspunkt im HBM4E-Krieg. Der Anteil von SK hynix an 1c steigt von 10% in Q1 auf 34% in der Prognose für Q4; im nächsten Jahr wird er in Q1 voraussichtlich auf 35% steigen und damit offiziell 1b als führendes Fertigungsverfahren überholen. Dieses Tempo bedeutet, dass SK hynix in nur einem halben Jahr die schwierigste Serienproduktions-„Anpassung“ für HBM4E vorzieht. Samsung geht bei HBM4 direkt auf 1c und sichert sich Aufträge über Leistungsparameter; SK hynix stabilisiert HBM4 mit 1b, drückt den Anteil auf etwa Mitte 50% und konzentriert dann die Feuerkraft darauf, die Ausbeute (Yield) von 1c durchzuziehen. Wenn HBM4E 1c als Kern-Die benötigt, ist die schmerzhafteste Phase des Hochfahrens bereits durchlaufen. Jede 1c-Wafer liefert mehr Bits, der Kostenvorteil wird direkt aufgespalten. Damit gibt es Rückhalt für die DRAM-Profitmargen in der zweiten Jahreshälfte. Als Nächstes schauen wir auf den Q3-Quartalsbericht: Wenn der Anteil von 1c unter 24% liegt, deutet das darauf hin, dass das Yield-Hochfahren auf Widerstand stößt und der Zeitpunkt der Serienproduktion von HBM4E fraglich bleibt. Wenn es auf 30% oder mehr hochgeht, wird die Roadmap von Samsung zwangsläufig angepasst. Wer als Erstes das „Yield-Höllen“-Kapitel im Basisherstellprozess durchläuft, ist am Ende der ultimative Gewinner im HBM-Wettstreit.