Micron plant, seine Kapazität für Hochbandbreitenspeicher (HBM) im Vergleich zum Vorjahr zu verdoppeln, und treibt vor Jahresende aggressive Investitionen in die Ausrüstung voran, um die Versorgung mit seinen nächsten Generationen von HBM4-Produkten mit 12 Schichten zu stärken. Laut Sina Finance will das Unternehmen bis zum Jahresende bis zu 60.000 Wafer pro Monat zur HBM-Kapazität hinzufügen; die monatliche Produktion soll bis zum Jahresende etwa 100.000 Wafer erreichen.

Laut Sina Finance sagte eine mit der Angelegenheit vertraute Person, dass Micron umfangreiche Investitionen in Produktionsanlagen durchführt, um die HBM4-Kapazität rasch auszubauen. Micron erhöht zudem Bestellungen bei mehreren Herstellern von HBM-Fertigungsanlagen, und die Ausrüstung trifft weiterhin in seinem HBM-Produktionsstandort ein.

Der Anteil der HBM4-12-Layer-Ausbringung dürfte stark steigen. Derzeit besteht der Großteil der HBM-Ausbringung von Micron aus HBM3E-12-Layer-Produkten. Anfang dieses Jahres entfielen auf HBM4-12-Layer-Produkte 20% bis 30% der gesamten Ausbringung, und dieser Anteil soll Berichten zufolge bis zum Jahresende auf bis zu 50% steigen.

HBM4-12-Layer-Produkte werden in Nvidias KI-Chip „Vera Rubin“ eingesetzt, und Micron hat mit der Massenproduktion der Produkte im zweiten Quartal dieses Jahres begonnen.