US-Fonds stockt die Mittel für chinesische Speicher massiv auf, ChangXin Technology rückt in den Fokus
Ein im Ausland notierter ETF, der sich auf den Bereich Speicherchips konzentriert, hat gerade sein Portfolio umgeschichtet und das chinesische Speicherunternehmen ChangXin Technology in die Top-10-Positionen aufgenommen.
Dieser Fonds heißt Roundhill Memory ETF, Produktcode DRAM. ChangXin Technology ist mit 2,52% gewichtet. Mit im Index vertreten sind außerdem Samsung Electronics (26,39%), Micron (24,54%), SK Hynix (22,77%), Seagate (5,05%), Western Digital (4,98%), SanDisk (3,76%), Kioxia (3,14%), Nanya Technology (1,92%) und GigaDevice (1,51%).
Ein weiterer US-ETF mit aktivem Management – Tema Memory ETF, Produktcode DISK – geht noch einen Schritt weiter. Er hat ChangXin Technology direkt zum größten Einzelposten gemacht; der Anteil liegt bei beeindruckenden 12,97%. Die Portfolio-Breite dieses ETFs ist insgesamt sehr konzentriert: Die wichtigsten Positionen machen zusammen 70,23% aus; die Daten wurden am 30. Juli 2026 aktualisiert. Auf die nächstfolgenden Schwergewichte entfallen SanDisk (12,77%), danach Kioxia und Western Digital (je 4,83%).
Bemerkenswert ist, dass GigaDevice erst im Juni dieses Jahres zum ersten Mal in DRAM aufgenommen wurde – damals mit 2,91%; inzwischen ist die Gewichtung leicht auf 1,51% zurückgegangen.
Diese geballten, aktiven Maßnahmen der führenden Auslandsfonds in der Speicherindustrie senden eine sehr direkte Botschaft: Chinesische Speicherunternehmen beschleunigen ihre Integration in die globalen Kern-Engpässe der Halbleiter-Lieferkette. Gleichzeitig explodiert weltweit die Nachfrage nach KI-Rechenleistung und die Stimmung im Speicherchip-Zyklus erholt sich. Das internationale Kapital fürchtet die Anerkennung der chinesischen Tech-Branche wird damit konkreter und greifbarer.
Ein im Ausland notierter ETF, der sich auf den Bereich Speicherchips konzentriert, hat gerade sein Portfolio umgeschichtet und das chinesische Speicherunternehmen ChangXin Technology in die Top-10-Positionen aufgenommen.
Dieser Fonds heißt Roundhill Memory ETF, Produktcode DRAM. ChangXin Technology ist mit 2,52% gewichtet. Mit im Index vertreten sind außerdem Samsung Electronics (26,39%), Micron (24,54%), SK Hynix (22,77%), Seagate (5,05%), Western Digital (4,98%), SanDisk (3,76%), Kioxia (3,14%), Nanya Technology (1,92%) und GigaDevice (1,51%).
Ein weiterer US-ETF mit aktivem Management – Tema Memory ETF, Produktcode DISK – geht noch einen Schritt weiter. Er hat ChangXin Technology direkt zum größten Einzelposten gemacht; der Anteil liegt bei beeindruckenden 12,97%. Die Portfolio-Breite dieses ETFs ist insgesamt sehr konzentriert: Die wichtigsten Positionen machen zusammen 70,23% aus; die Daten wurden am 30. Juli 2026 aktualisiert. Auf die nächstfolgenden Schwergewichte entfallen SanDisk (12,77%), danach Kioxia und Western Digital (je 4,83%).
Bemerkenswert ist, dass GigaDevice erst im Juni dieses Jahres zum ersten Mal in DRAM aufgenommen wurde – damals mit 2,91%; inzwischen ist die Gewichtung leicht auf 1,51% zurückgegangen.
Diese geballten, aktiven Maßnahmen der führenden Auslandsfonds in der Speicherindustrie senden eine sehr direkte Botschaft: Chinesische Speicherunternehmen beschleunigen ihre Integration in die globalen Kern-Engpässe der Halbleiter-Lieferkette. Gleichzeitig explodiert weltweit die Nachfrage nach KI-Rechenleistung und die Stimmung im Speicherchip-Zyklus erholt sich. Das internationale Kapital fürchtet die Anerkennung der chinesischen Tech-Branche wird damit konkreter und greifbarer.