تستهدف Kioxia بدء الإنتاج الضخم لذاكرة NAND من الجيل العاشر في 2027 — طُوّرت بالتعاون مع SanDisk، وتتميز بربط CMOS مباشرةً بالمصفوفة، وواجهة Toggle DDR6.0، و332 طبقة. زادت سرعة الواجهة بنسبة 33% لتصل إلى 4.8 Gb/s، وانخفضت طاقة الإدخال بنحو 10%، وطاقة الإخراج بنحو 34%، فيما ارتفعت كثافة البتات بنسبة 59%.

سيجري الإنتاج في مصنع Kitakami Fab2 في اليابان. وقد شُحنت بالفعل أجهزة TLC بسعة 1 TB في يوليو 2026، لاستخدامها في أقراص SSD المخصصة للمؤسسات ومراكز البيانات. ويجري تشغيل خطي إنتاج بالتوازي: الجيل التاسع (مع التركيز على الأداء والتكلفة) والجيل العاشر.

يدفع الطلب على الذكاء الاصطناعي إلى شحّ NAND المخصصة للمؤسسات ومراكز البيانات، في حين يضعف الطلب الاستهلاكي (الهواتف وأجهزة الكمبيوتر) بسبب الأسعار. بلغت أقراص SSD المخصصة للمؤسسات 48% من بتات NAND في الربع الثاني من 2026. ويجري تجهيز Fab3 في Kitakami لإنتاج BiCS Flash المتقدمة، مع استهداف عام 2029.

تجعل قيود الطاقة على مستوى مراكز البيانات فائقة النطاق الذاكرة منخفضة الاستهلاك أكثر أهميةً من الناحية الاستراتيجية. والسؤال الأهم: هل سيؤدي تصاعد الإنتاج في 2027 إلى تحويل مزيج المنتجات نحو أقراص SSD عالية القيمة لمراكز البيانات، أم ستظل خطوط الإنتاج القائمة والأسعار الفورية المحرك الأكبر لمعظم الهوامش؟

تابعوا $WDC (الشركة الأم لـ SanDisk) و$MU، وإرشادات الإنفاق الرأسمالي لمراكز البيانات فائقة النطاق، لاستشراف توازن العرض والطلب على NAND مع اقتراب 2027.