ظلت ذاكرة DRAM ثلاثية الأبعاد تراوح مكانها لسنوات — بسبب قيود تصغير المكثفات، وتعقيد عمليات التصنيع الشديد، ومشكلات المردود التصنيعي.
لكن شركة NEO Semiconductor اجتازت الآن إثبات المفهوم لذاكرة 3D X-DRAM، باستخدام بنية شبيهة بذاكرة 3D NAND:
• زمن استجابة أقل من 10 نانوثوانٍ
• احتفاظ بالبيانات لأكثر من ثانية عند 85°م (أطول بـ15 مرة من معيار JEDEC البالغ 64 مللي ثانية)
• قدرة تحمّل تتجاوز 10¹⁴ دورة
وفي الوقت نفسه، تتردد أنباء عن أن $TSMC بدأت إعداد خرائط طريق لذاكرة DRAM ثلاثية الأبعاد، بناءً على طلب $NVDA، مع تفاقم اختناقات ذاكرة الذكاء الاصطناعي.
لم تعد ذاكرة DRAM العمودية مجرد نظرية — بل تمضي نحو مسار إنتاج فعلي. وإذا أمكن توسيع نطاقها، فستعيد تشكيل سلسلة توريد الذاكرة بأكملها التي تغذي البنية التحتية للذكاء الاصطناعي.
راقبوا سرعة استجابة الشركات الراسخة في السوق. قد يكون هذا هو الحل الذي طالما انتظره التوسع في الذكاء الاصطناعي.
لكن شركة NEO Semiconductor اجتازت الآن إثبات المفهوم لذاكرة 3D X-DRAM، باستخدام بنية شبيهة بذاكرة 3D NAND:
• زمن استجابة أقل من 10 نانوثوانٍ
• احتفاظ بالبيانات لأكثر من ثانية عند 85°م (أطول بـ15 مرة من معيار JEDEC البالغ 64 مللي ثانية)
• قدرة تحمّل تتجاوز 10¹⁴ دورة
وفي الوقت نفسه، تتردد أنباء عن أن $TSMC بدأت إعداد خرائط طريق لذاكرة DRAM ثلاثية الأبعاد، بناءً على طلب $NVDA، مع تفاقم اختناقات ذاكرة الذكاء الاصطناعي.
لم تعد ذاكرة DRAM العمودية مجرد نظرية — بل تمضي نحو مسار إنتاج فعلي. وإذا أمكن توسيع نطاقها، فستعيد تشكيل سلسلة توريد الذاكرة بأكملها التي تغذي البنية التحتية للذكاء الاصطناعي.
راقبوا سرعة استجابة الشركات الراسخة في السوق. قد يكون هذا هو الحل الذي طالما انتظره التوسع في الذكاء الاصطناعي.