فائض في معروض الذاكرة؟ هذا لن يحدث، حتى بعد عام 2030.

الطلب على ذاكرة HBM يستنزف طاقة إنتاج ذاكرة DRAM التقليدية. والمفاجأة أن إنتاج كل بت من HBM يتطلب عددًا أكبر بكثير من رقائق السيليكون مقارنةً بـ DDR5. والمعروض محدود أصلًا.

أضف الآن ذاكرة DRAM ثلاثية الأبعاد مكدّسة، مدمجة مباشرةً مع دوائر المنطق، ومن المتوقع أن يتوسع استخدامها نحو عامي 2029 و2030. وقد يضيّق ذلك معروض ذاكرة DRAM التقليدية أكثر. ولم تحسم شركات الذاكرة بعد حتى الآن عُقد التصنيع التي ستعتمدها. وإذا عملت هذه البنية كما هو متوقع، فقد تقيّد ذاكرة DRAM ثلاثية الأبعاد المكدّسة إنتاج البتات بدرجة أكبر حتى من ذاكرة HBM الحالية.

معظم المحللين لم يأخذوا هذا في الحسبان بعد. توقّعوا أن يتغير النقاش العام العام المقبل، مع عقد مزيد من الشركات شراكات مع مورّدي الذاكرة في مجال التكديس ثلاثي الأبعاد.

ومع قوة أرباح SK Hynix، يجدر بنا إعادة النظر في قصة تقييد المعروض الهيكلي هذه. دورة الذاكرة لا تنعكس، بل تزداد ضيقًا.