تعرّضت أسهم سامسونج وSK Hynix لضربة رغم تحقيقهما أرباحًا قياسية — إذ هبط سهم $SKHY بنسبة 24% في 13 جلسة تداول فقط — والسبب مألوف: الصين تلحق بالركب في مجال الذاكرة.
استعرضت CXMT تصميمًا لخلية DRAM بمساحة 4F² في مؤتمر شنغهاي، وقالت إنه قد يقلّص مساحة الخلية بنحو 33% مقارنةً بالمعيار الحالي البالغ 6F²، مع استهداف إطلاق المنتج بحلول نهاية العام. يبدو ذلك مبهرًا على الورق.
لكن إليكم الواقع: عرضت سامسونج بالفعل نموذجًا أوليًا عاملًا بتقنية 4F² في فبراير خلال مؤتمر ISSCC. الفجوة لا تتعلق بمن يستطيع تصنيعها في المختبر، بل بموعد جدوى اقتصادياتها للإنتاج بكميات كبيرة. وتقدّر KB Securities فجوة الإنتاج بخمس إلى سبع سنوات. وترى Citi أن بدء الإنتاج بكميات كبيرة قبل 2028 يبدو صعبًا، في ظل قيود المعدات ومعدلات المردود. ولم تفصح CXMT عن تفاصيل معدلات المردود أو الكميات أو المواصفات الدقيقة للمنتج.
فلماذا هذا الذعر؟
لأن اللحاق الحقيقي يجري بالفعل في الحصة السوقية. وتُظهر TrendForce أن حصة CXMT بلغت 9.5% من سوق DRAM العالمية في الربع الثاني، ارتفاعًا من 7.6% في الربع الأول. كما وصلت شحنات NAND من YMTC إلى المركز الثالث عالميًا، متجاوزةً Kioxia وMicron. هذا ليس عرضًا في مؤتمر — بل إنتاج فعلي بكميات كبيرة.
وتذكّرنا Morgan Stanley بأن الطلب على الذكاء الاصطناعي لا يلغي الطبيعة الدورية لسوق الذاكرة. وتتجمع الطاقات الإنتاجية الجديدة لدى عدة شركات حول عام 2028، ما يعني أن ضغوط الأسعار قادمة بصرف النظر عمّن يملك تصميم الخلية الأكثر تطورًا.
الادعاء في مؤتمر لا يعني امتلاك عملية إنتاج مؤهلة للتصنيع بكميات كبيرة. لكن ارتفاع الحصة في سوقي DRAM وNAND للمنتجات الأساسية؟ هذا هو الخطر الحقيقي.
لذا، فالسؤال ليس ما إذا كانت CXMT قادرة على إنتاج 4F² بكميات كبيرة، بل ما إذا كانت سامسونج وSK Hynix ستواجهان مزيدًا من الضغوط بسبب ضغوط الأسعار على المدى القريب، أم بسبب استمرار الفجوة الأطول أمدًا في عمليات التصنيع وتأهيل العملاء. في الوقت الراهن، يسعّر السوق كلا الأمرين.
$MU $SKHY $DRAM
استعرضت CXMT تصميمًا لخلية DRAM بمساحة 4F² في مؤتمر شنغهاي، وقالت إنه قد يقلّص مساحة الخلية بنحو 33% مقارنةً بالمعيار الحالي البالغ 6F²، مع استهداف إطلاق المنتج بحلول نهاية العام. يبدو ذلك مبهرًا على الورق.
لكن إليكم الواقع: عرضت سامسونج بالفعل نموذجًا أوليًا عاملًا بتقنية 4F² في فبراير خلال مؤتمر ISSCC. الفجوة لا تتعلق بمن يستطيع تصنيعها في المختبر، بل بموعد جدوى اقتصادياتها للإنتاج بكميات كبيرة. وتقدّر KB Securities فجوة الإنتاج بخمس إلى سبع سنوات. وترى Citi أن بدء الإنتاج بكميات كبيرة قبل 2028 يبدو صعبًا، في ظل قيود المعدات ومعدلات المردود. ولم تفصح CXMT عن تفاصيل معدلات المردود أو الكميات أو المواصفات الدقيقة للمنتج.
فلماذا هذا الذعر؟
لأن اللحاق الحقيقي يجري بالفعل في الحصة السوقية. وتُظهر TrendForce أن حصة CXMT بلغت 9.5% من سوق DRAM العالمية في الربع الثاني، ارتفاعًا من 7.6% في الربع الأول. كما وصلت شحنات NAND من YMTC إلى المركز الثالث عالميًا، متجاوزةً Kioxia وMicron. هذا ليس عرضًا في مؤتمر — بل إنتاج فعلي بكميات كبيرة.
وتذكّرنا Morgan Stanley بأن الطلب على الذكاء الاصطناعي لا يلغي الطبيعة الدورية لسوق الذاكرة. وتتجمع الطاقات الإنتاجية الجديدة لدى عدة شركات حول عام 2028، ما يعني أن ضغوط الأسعار قادمة بصرف النظر عمّن يملك تصميم الخلية الأكثر تطورًا.
الادعاء في مؤتمر لا يعني امتلاك عملية إنتاج مؤهلة للتصنيع بكميات كبيرة. لكن ارتفاع الحصة في سوقي DRAM وNAND للمنتجات الأساسية؟ هذا هو الخطر الحقيقي.
لذا، فالسؤال ليس ما إذا كانت CXMT قادرة على إنتاج 4F² بكميات كبيرة، بل ما إذا كانت سامسونج وSK Hynix ستواجهان مزيدًا من الضغوط بسبب ضغوط الأسعار على المدى القريب، أم بسبب استمرار الفجوة الأطول أمدًا في عمليات التصنيع وتأهيل العملاء. في الوقت الراهن، يسعّر السوق كلا الأمرين.
$MU $SKHY $DRAM