تقرير: سامسونج ستستخدم تقنية التصنيع بدقة 3 نانومتر من TSMC لإنتاج رقائق القاعدة لذاكرة HBM من الجيل التالي لدى NVIDIA

أول تعاون مُعلن عنه: أفادت صحيفة «سيول إيكونوميك ديلي» بأن شركة سامسونج للإلكترونيات تعتزم استخدام تقنية التصنيع بدقة 3 نانومتر من TSMC لإنتاج رقائق القاعدة لذاكرة النطاق الترددي العالي المخصصة (HBM) من الجيل التالي لدى NVIDIA.

متطلبات NVIDIA: يُقال إن NVIDIA طلبت من سامسونج وSK Hynix وMicron استخدام تقنية TSMC لإنتاج رقائق القاعدة لذاكرة NVHBM، واعتماد ذاكرة DRAM من الجيل السادس في قوالب نوى الذاكرة.

بنية ذاكرة مخصصة: تدمج NVHBM وحدة التحكم المخصصة في الذاكرة من NVIDIA داخل الركيزة، بهدف توحيد طريقة التنفيذ لدى مورّدي الذاكرة المتعددين.

سامسونج توافق على المقترح: يُقال إن سامسونج وافقت بعد مراجعة داخلية، لكنها ستواصل تصنيع منتجات HBM القياسية ومنتجات الذاكرة المخصصة لعملاء آخرين داخل مصانعها.

دراسة خيار إنتاج بديل: تقيّم سامسونج أيضًا إمكانية استخدام مسبكها الخاص لتصنيع رقائق قاعدة NVHBM، في حال تجاوز الطلب الطاقة الإنتاجية المتاحة لدى TSMC.

الخلاصة الرئيسية: قد يعمّق الترتيب المُعلن عنه التعاون بين سامسونج وTSMC، ويمنح NVIDIA سلسلة توريد أكثر توحيدًا لتقنية ذاكرة الذكاء الاصطناعي من الجيل التالي.