أعلنت شركة ChangXin Memory $CXMT عن بنية DRAM بتصميم 4F²، تستخدم ترانزستورات بوابة محيطة عموديًا، وتهدف إلى طرح وحدات DDR5 RDIMM للخوادم بحلول نهاية عام 2026. وبالمقارنة مع التصميم السائد 6F²، يمكن نظريًا تقليص مساحة خلية الذاكرة بنحو 30%، لكن هذا لا يعني انخفاض تكلفة الشريحة كاملةً بنسبة 30% مباشرةً.
إذا زاد المعروض وتراجعت الأسعار، فقد تخف الضغوط على التكاليف لدى DELL وHPQ ولينوفو؛ وقد تستفيد أيضًا شركتا معدات أشباه الموصلات الصينيتان NAURA وAMEC من التوسع في الإنتاج.
يستحق هذا الاختراق المعماري الاهتمام، لكن لا بد من اجتياز ثلاثة اختبارات: المردود التصنيعي، والإنتاج الكمي، واعتماد العملاء. كما أن اشتداد المنافسة في سوق DRAM عمومًا لا يعني تلقائيًا زوال ميزة HBM4. في المرحلة المقبلة، تجدر متابعة إرسال العينات واعتمادها بحلول نهاية العام، وعدم احتساب الأهداف التقنية مسبقًا على أنها إمدادات كبيرة.
إذا زاد المعروض وتراجعت الأسعار، فقد تخف الضغوط على التكاليف لدى DELL وHPQ ولينوفو؛ وقد تستفيد أيضًا شركتا معدات أشباه الموصلات الصينيتان NAURA وAMEC من التوسع في الإنتاج.
يستحق هذا الاختراق المعماري الاهتمام، لكن لا بد من اجتياز ثلاثة اختبارات: المردود التصنيعي، والإنتاج الكمي، واعتماد العملاء. كما أن اشتداد المنافسة في سوق DRAM عمومًا لا يعني تلقائيًا زوال ميزة HBM4. في المرحلة المقبلة، تجدر متابعة إرسال العينات واعتمادها بحلول نهاية العام، وعدم احتساب الأهداف التقنية مسبقًا على أنها إمدادات كبيرة.