تراجعت أسهم شركات التخزين بعد إغلاق السوق جماعياً؛ هبطت ميكرون قرابة 4%، وسانديسك قرابة 6%. والسبب المباشر هو إحراز بنية DRAM ‏4F² من تشانغشين تقدماً جديداً، مع خطط لإطلاق وحدات DDR5 RDIMM في نهاية العام، تستهدف مباشرةً ذاكرة خوادم الذكاء الاصطناعي.

المنطق واضح: الانتقال من 6F² إلى 4F² يقلّص مساحة الخلية بنحو الثلث، فترتفع الكثافة وتنخفض التكلفة. وما تخشاه السوق حقاً ليس القدرة على المنافسة الآن، بل أن يعيد الإنتاج المحلي المستقر بكميات كبيرة حسابات القوة التسعيرية لشركتي الولايات المتحدة وكوريا الجنوبية، وهوامش الربح في سوق DRAM للخوادم.

لكن للإنصاف، نشاط سانديسك الأساسي هو NAND، لذا لا تنافس DRAM مباشرةً. ويبدو أن تراجعها في هذه الموجة أضرار جانبية لإعادة تقييم القطاع بأكمله؛ أما HBM، وهي الفئة المتقدمة، فلا تزال بعيدة عن متناول تشانغشين في الأجل القصير.

لم تنتهِ الدورة الفائقة للتخزين، لكن مرحلة بناء القصص على أساس الندرة قد ولّت. راقبوا أولاً ما إذا كانت ميكرون وسانديسك ستتوقفان عن الهبوط، ولا تتعجلوا الشراء عند الانخفاض. أما أسهم التخزين في سوق الأسهم الصينية، فراقبوا تأثير سلسلة تشانغشين على معنويات السوق، ولا تعتبروا الاختراق التقني أرباحاً تحققت بالفعل.#存储芯片 #DRAM