السبب الرئيسي لضعف أسهم التخزين هو صدمة توقعات الطاقة الإنتاجية الناتجة عن الاختراق التقني الذي حققته ChangXin في ذاكرة DRAM.
من المتوقع بدء الإنتاج الكمي لذاكرة DRAM محلية بتقنية 4F² بحلول نهاية العام، ما أثار مخاوف المستثمرين من إعادة تشكيل توازن العرض والطلب العالمي.
وأشار ماسك أيضًا إلى أن حجم التوسع في الإنتاج بعد إتقان تقنيات التصنيع محليًا سيكون مؤثرًا للغاية.
أدت التوقعات إلى عمليات بيع استباقية، أما الارتداد فليس سوى توقف مؤقت. #SK海力士股价下跌7.1%
استراتيجية البيع على المكشوف عند الارتداد.
SKHY1100-1090، MU 970-960، SNDK1430-1450.
الأهداف المحددة👇👇！！！