قال كيم تايوو، الرئيس التنفيذي للتطوير في سامسونج إلكترونيكس، يوم الثلاثاء، إن الذاكرة عالية النطاق الترددي ستشكل ما يقرب من 30% من إجمالي سعة الرقائق (الويفر) لدى صانعي شرائح ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM) في العام المقبل، مقارنة بنحو 20% في الوقت الحالي. ووفقاً لما ذكرته “Sina Finance”، قال إن الذاكرة عالية النطاق الترددي (HBM) تتنافس مع ذاكرة DRAM القياسية على نفس سعة الويفر، ما يعني أن زيادة إنتاج HBM قد تحد من إمدادات DRAM القياسية. وتُعد HBM مكوّناً رئيسياً في الحوسبة الخاصة بالذكاء الاصطناعي، وهي مصنوعة من رقاقات ذاكرة مكدّسة رأسياً تسمح للمعالجات بالوصول إلى كميات كبيرة من البيانات بسرعة عالية. ويهيمن على السوق حالياً كل من شركة SK Hynix الكورية الجنوبية وسامسونج إلكترونيكس، إلى جانب شركة Micron Technology الأميركية.