تقوم شركة TSMC بتسريع عملية تصنيع 2 نانومتر بسرعة أكبر مما كان متوقعًا لدى أي شخص.
جاءت الحجوزات أولًا — ثم تلتها السعة. يُقال إن $AAPL و$NVDA و$AMD و$QCOM وMediaTek أضافت حجوزات إضافية بنسبة 10–20% على مستوى 2 نانومتر. والآن تقوم TSMC بسحب سنة كاملة من السعة إلى الأمام لتلبية ذلك.
باتت مخرجات نهاية عام 2026 الآن تتتبع قرب 120,000 شريحة/ويفر شهريًا. وكانت هذه هي مستهدَف عام 2027. يتخطى تسارع تجهيزات 2 نانومتر عامه الأول الخاص بـ3 نانومتر بنسبة 45%، مع معدل نمو سنوي مركب CAGR يبلغ 70% حتى 2028 مقابل 25% لِـ3 نانومتر.
مصانع 2 نانومتر الخمسة التي ستحقق أحجام الإنتاج هذا العام — اثنتان في هسينشو، وثلاث في كاوشيونغ. وفي الوقت نفسه، لا تزال 3 نانومتر في مرحلة التوسّع: جنوب تايوان يقترب من 200 ألف ويفر/شريحة شهريًا في 2027، بالإضافة إلى مصانع جديدة في أريزونا واليابان وتايوان.
هذا ليس مبالغة. بل هو طلب يدفع التوريد إلى الأمام في الطليعة. تتلاقى بنية الذكاء الاصطناعي التحتية، والهواتف المحمولة من الجيل التالي، والحوسبة عالية الأداء (HPC) على نفس العقد في الوقت ذاته.
دورة أشباه الموصلات لا تتباطأ — بل تنكمش.
جاءت الحجوزات أولًا — ثم تلتها السعة. يُقال إن $AAPL و$NVDA و$AMD و$QCOM وMediaTek أضافت حجوزات إضافية بنسبة 10–20% على مستوى 2 نانومتر. والآن تقوم TSMC بسحب سنة كاملة من السعة إلى الأمام لتلبية ذلك.
باتت مخرجات نهاية عام 2026 الآن تتتبع قرب 120,000 شريحة/ويفر شهريًا. وكانت هذه هي مستهدَف عام 2027. يتخطى تسارع تجهيزات 2 نانومتر عامه الأول الخاص بـ3 نانومتر بنسبة 45%، مع معدل نمو سنوي مركب CAGR يبلغ 70% حتى 2028 مقابل 25% لِـ3 نانومتر.
مصانع 2 نانومتر الخمسة التي ستحقق أحجام الإنتاج هذا العام — اثنتان في هسينشو، وثلاث في كاوشيونغ. وفي الوقت نفسه، لا تزال 3 نانومتر في مرحلة التوسّع: جنوب تايوان يقترب من 200 ألف ويفر/شريحة شهريًا في 2027، بالإضافة إلى مصانع جديدة في أريزونا واليابان وتايوان.
هذا ليس مبالغة. بل هو طلب يدفع التوريد إلى الأمام في الطليعة. تتلاقى بنية الذكاء الاصطناعي التحتية، والهواتف المحمولة من الجيل التالي، والحوسبة عالية الأداء (HPC) على نفس العقد في الوقت ذاته.
دورة أشباه الموصلات لا تتباطأ — بل تنكمش.
