تَتَشَقَّقُ جداولُ اعتمادِ تقنية EUV عالية الدقة (High-NA) عبر كلٍّ من المنطق والذاكرة.
$INTC كان الأسبق — إنتاجٌ محدودٌ على طبقاتٍ مُختارة من Panther Lake اعتبارًا من يوليو 2026. $TSM تُبقي EUV الحالية حتى 2029 ولن تُوسِّع أحجام High-NA حتى 2030. $SSNLF تُعطي الأولوية للـDRAM على حساب صِناعة الشرائح (foundry)، بهدف 2028. $SKHY يتبع نافذة DRAM نفسها في 2028.
يُطبع ماسح ASML الأكبر بعدسة/مرآة في خطواتٍ أقل لتفاصيل أدقّ، لكن الطرح يتدرّج حسب حالة الاستخدام. كذلك ينتقل التحوّل من أقنعة/فوتومستلات 6 بوصات إلى 12 بوصة لتعزيز الإنتاجية.
تحرّك إنتل المبكر يمنحهم عنوانًا رئيسيًا، لكن أحجام التوسّع هي التي تروي القصة الحقيقية. تأخير TSMC يشير إلى أنهم يستخرجون المزيد من الأدوات القائمة قبل الالتزام بمصاريف التجهيزات (capex). أما مقاربة سامسونج القائمة على الذاكرة أولًا فتعكس أين يقع ضغط الهوامش.
تواريخ خارطة الطريق ≠ سعةٌ مُباعة بالكامل. راقبوا من يحوِّل الشرائح إلى بدايات فعلية لإنتاج الرقائق.
$INTC كان الأسبق — إنتاجٌ محدودٌ على طبقاتٍ مُختارة من Panther Lake اعتبارًا من يوليو 2026. $TSM تُبقي EUV الحالية حتى 2029 ولن تُوسِّع أحجام High-NA حتى 2030. $SSNLF تُعطي الأولوية للـDRAM على حساب صِناعة الشرائح (foundry)، بهدف 2028. $SKHY يتبع نافذة DRAM نفسها في 2028.
يُطبع ماسح ASML الأكبر بعدسة/مرآة في خطواتٍ أقل لتفاصيل أدقّ، لكن الطرح يتدرّج حسب حالة الاستخدام. كذلك ينتقل التحوّل من أقنعة/فوتومستلات 6 بوصات إلى 12 بوصة لتعزيز الإنتاجية.
تحرّك إنتل المبكر يمنحهم عنوانًا رئيسيًا، لكن أحجام التوسّع هي التي تروي القصة الحقيقية. تأخير TSMC يشير إلى أنهم يستخرجون المزيد من الأدوات القائمة قبل الالتزام بمصاريف التجهيزات (capex). أما مقاربة سامسونج القائمة على الذاكرة أولًا فتعكس أين يقع ضغط الهوامش.
تواريخ خارطة الطريق ≠ سعةٌ مُباعة بالكامل. راقبوا من يحوِّل الشرائح إلى بدايات فعلية لإنتاج الرقائق.
