قامت CXMT للتو بإدخال منصة ذاكرة DRAM جيل خامس إلى الإنتاج الضخم. المحور الرئيسي: شريحة LPDDR5X بسعة 24GB.
تذكر صحيفة «ذا بيبر» أن خط G5 تم إعلانه للإنتاج في مؤتمر التصنيع العالمي لعام 2026 في 20 سبتمبر.
يتم شحن طرازين بسعة 24GB من LPDDR5X — بقدرة أعلى بنسبة 50% من الجيل السابق ضمن الفئة نفسها. الحزم هي 496 سنًا و245 سنًا، وتستهدف الهواتف المتوسطة إلى الفئة العليا والأجهزة المحمولة. كلاهما في الإنتاج على نطاق واسع.
ادعاءات العملية: يتيح التضاعف الرباعي للتمديد (quadruple patterning) تقليل نصف الملعب للمساحة الفعالة في المصفوفة إلى 11.95 نانومتر، ما يقترب من عُقد DRAM الخاصة بالإنتاج على طليعة التكنولوجيا. تبلغ نسبة أبعاد المكثف 45:1 باستخدام تدفق ومواد جديدة. كما أن مكدس HKMG المصمم خصيصًا للـDRAM يقلل ارتفاع كتلة الوظائف الأساسية إلى 6,762 نانومتر.
يوجد «نموذج رقمي» (digital twin) يمتد عبر التصميم والتطوير والتصنيع والصيانة. ومن الخطوات الأخرى المذكورة: هندسة الواجهات وبنى saddle-fin، وأسلاك bitlines مفصولة بفواصل منخفضة k.
عدد الشرائح لكل رقاقة (wafer) أعلى بنسبة لا تقل عن 50% من منصة الجيل الرابع — وهذه هي ميزة الكثافة والتكلفة.
مبيعات النصف الأول لشركة «تشنغكسِن تكنولوجي» (Parent Changxin Technology) في 2026: 150.31 مليار يوان، بزيادة قدرها 874% على أساس سنوي. الربح الصافي للمساهمين: 77.605 مليار يوان، بعد خسارة قدرها 2.33 مليار يوان في العام السابق. يتم بالفعل شحن LPDDR5 و5X إلى Xiaomi وTranssion. كما أن LPDDR5X المخصص للسيارات قيد الإنتاج أيضًا.
لا يُعد G5 HBM. بل هو طريقة لشركة DRAM صينية لتحويل رياح مكاسب دورة السلع إلى عقدة محمولة أكثر إحكامًا.
$DRAM
إذا كان G5 يحقق بالفعل 50% شريحة (dies) أكثر لكل رقاقة عند نصف ملعب 11.95 نانومتر، فهل سيؤثر ذلك على مزيج LPDDR الكوري أولًا — أم أنه ببساطة سيملأ سلسلة إمداد هواتف الصين التي تمتلكها CXMT بالفعل؟
تذكر صحيفة «ذا بيبر» أن خط G5 تم إعلانه للإنتاج في مؤتمر التصنيع العالمي لعام 2026 في 20 سبتمبر.
يتم شحن طرازين بسعة 24GB من LPDDR5X — بقدرة أعلى بنسبة 50% من الجيل السابق ضمن الفئة نفسها. الحزم هي 496 سنًا و245 سنًا، وتستهدف الهواتف المتوسطة إلى الفئة العليا والأجهزة المحمولة. كلاهما في الإنتاج على نطاق واسع.
ادعاءات العملية: يتيح التضاعف الرباعي للتمديد (quadruple patterning) تقليل نصف الملعب للمساحة الفعالة في المصفوفة إلى 11.95 نانومتر، ما يقترب من عُقد DRAM الخاصة بالإنتاج على طليعة التكنولوجيا. تبلغ نسبة أبعاد المكثف 45:1 باستخدام تدفق ومواد جديدة. كما أن مكدس HKMG المصمم خصيصًا للـDRAM يقلل ارتفاع كتلة الوظائف الأساسية إلى 6,762 نانومتر.
يوجد «نموذج رقمي» (digital twin) يمتد عبر التصميم والتطوير والتصنيع والصيانة. ومن الخطوات الأخرى المذكورة: هندسة الواجهات وبنى saddle-fin، وأسلاك bitlines مفصولة بفواصل منخفضة k.
عدد الشرائح لكل رقاقة (wafer) أعلى بنسبة لا تقل عن 50% من منصة الجيل الرابع — وهذه هي ميزة الكثافة والتكلفة.
مبيعات النصف الأول لشركة «تشنغكسِن تكنولوجي» (Parent Changxin Technology) في 2026: 150.31 مليار يوان، بزيادة قدرها 874% على أساس سنوي. الربح الصافي للمساهمين: 77.605 مليار يوان، بعد خسارة قدرها 2.33 مليار يوان في العام السابق. يتم بالفعل شحن LPDDR5 و5X إلى Xiaomi وTranssion. كما أن LPDDR5X المخصص للسيارات قيد الإنتاج أيضًا.
لا يُعد G5 HBM. بل هو طريقة لشركة DRAM صينية لتحويل رياح مكاسب دورة السلع إلى عقدة محمولة أكثر إحكامًا.
$DRAM
إذا كان G5 يحقق بالفعل 50% شريحة (dies) أكثر لكل رقاقة عند نصف ملعب 11.95 نانومتر، فهل سيؤثر ذلك على مزيج LPDDR الكوري أولًا — أم أنه ببساطة سيملأ سلسلة إمداد هواتف الصين التي تمتلكها CXMT بالفعل؟
