تُفكّر شركة SK Hynix في الاستحواذ على موقع Intel في أوهايو. لا توجد صفقة بعد. تتمثل الخطوة في مجال التغليف والوصول إلى خدمات الصبّ، وليس نقل الواجهة الأمامية الخاصة بـ HBM إلى الولايات المتحدة.
السياق: كانت SK قد أعلنت بالفعل عن شركة SK AI Company في يناير، تلا ذلك إدراج ADR، ثم تدشين مصنع إنديانا. قال تشي تاي-وون إن إنشاء مصنع أمريكي جديد ممكن إذا تحققت متطلبات البنية التحتية. وتُعد Intel، التي يمتلك فيها «العم سام» حصة، خيارًا آخر مطروحًا.
تمتلك Samsung الذاكرة والـfoundry والتغليف. لا تملك SK Hynix قسم الصبّ. تمتلك Intel قسم الذاكرة؟ لا، لا تملك Intel ذاكرة. التوافق واضح.
من إنديانا إلى أوهايو نحو 350 كم، يستغرق بالسيارة أربع ساعات. يعني إنشاء موقع جديد من الصفر توفير الأراضي والتصاريح وتوظيف العمال وتجهيز المعدات وزيادة الإنتاج للوصول إلى العائد. أما التأجير فيستفيد من البنية التحتية القائمة.
تُعد عملية تصنيع رقائق HBM تقنياً جوهرياً على المستوى الوطني الكوري. يتطلب نقلها إلى الخارج مراجعة حكومية. إن سيناريو تصنيع الـHBM في المرحلة الأمامية داخل أوهايو هو السيناريو الذي تقل فرص موافقة سيول عليه إلى أدنى حد.
الأكثر واقعية: رقائق DRAM تقليدية لوحدات المعالجة الخوادمية من Intel، أو إضافة تغليف إضافي لـ HBM داخل منشأة تابعة لـ Intel. يستهدف تغليف SK Hynix في إنديانا عام 2029. ومن المقرر أن يبدأ أول مصنع لـ Intel في أوهايو في عام 2030.
في الشهر الماضي، ظهرت تقارير تفيد بأن SK اختبرت EMIB-T من Intel كمسار 2.5D لـ HBM—وهو تحوّط ضد قيود سعة CoWoS لدى $TSM. الصورة الناشئة تتمثل في رقائق HBM مُصنّعة في كوريا يتم تكديسها في إنديانا، مع وجود عملية Intel القريبة منها.
تحصل Intel على نقطة ارتكاز تتعلق بـ HBM والتغليف لعملاء الصبّ. تحصل SK Hynix على وجود في الولايات المتحدة دون التخلي عن السيطرة على الواجهة الأمامية.
تلوح خطابات التعريفات الجمركية وضغوط سلسلة الإمداد من البيت الأبيض. كذلك تلوح استثمارات TSMC الرأسمالية في الولايات المتحدة.
التأجير أسرع من إنشاء موقع جديد من الصفر. كما أنه الطريقة التي تنتهي بها شركة تعمل في مجال الذاكرة على خريطة طريق التصنيع الخاصة بشركة أخرى.
إذا كانت أوهايو للتغليف وEMIB-T، وليست لرقائق HBM فعلياً، فهل يخفف ذلك بالفعل عن عنق الزجاجة في CoWoS—أم أنه مجرد إضافة بند سياسي آخر داخل الولايات المتحدة؟
$INTC $SKHY $TSM
السياق: كانت SK قد أعلنت بالفعل عن شركة SK AI Company في يناير، تلا ذلك إدراج ADR، ثم تدشين مصنع إنديانا. قال تشي تاي-وون إن إنشاء مصنع أمريكي جديد ممكن إذا تحققت متطلبات البنية التحتية. وتُعد Intel، التي يمتلك فيها «العم سام» حصة، خيارًا آخر مطروحًا.
تمتلك Samsung الذاكرة والـfoundry والتغليف. لا تملك SK Hynix قسم الصبّ. تمتلك Intel قسم الذاكرة؟ لا، لا تملك Intel ذاكرة. التوافق واضح.
من إنديانا إلى أوهايو نحو 350 كم، يستغرق بالسيارة أربع ساعات. يعني إنشاء موقع جديد من الصفر توفير الأراضي والتصاريح وتوظيف العمال وتجهيز المعدات وزيادة الإنتاج للوصول إلى العائد. أما التأجير فيستفيد من البنية التحتية القائمة.
تُعد عملية تصنيع رقائق HBM تقنياً جوهرياً على المستوى الوطني الكوري. يتطلب نقلها إلى الخارج مراجعة حكومية. إن سيناريو تصنيع الـHBM في المرحلة الأمامية داخل أوهايو هو السيناريو الذي تقل فرص موافقة سيول عليه إلى أدنى حد.
الأكثر واقعية: رقائق DRAM تقليدية لوحدات المعالجة الخوادمية من Intel، أو إضافة تغليف إضافي لـ HBM داخل منشأة تابعة لـ Intel. يستهدف تغليف SK Hynix في إنديانا عام 2029. ومن المقرر أن يبدأ أول مصنع لـ Intel في أوهايو في عام 2030.
في الشهر الماضي، ظهرت تقارير تفيد بأن SK اختبرت EMIB-T من Intel كمسار 2.5D لـ HBM—وهو تحوّط ضد قيود سعة CoWoS لدى $TSM. الصورة الناشئة تتمثل في رقائق HBM مُصنّعة في كوريا يتم تكديسها في إنديانا، مع وجود عملية Intel القريبة منها.
تحصل Intel على نقطة ارتكاز تتعلق بـ HBM والتغليف لعملاء الصبّ. تحصل SK Hynix على وجود في الولايات المتحدة دون التخلي عن السيطرة على الواجهة الأمامية.
تلوح خطابات التعريفات الجمركية وضغوط سلسلة الإمداد من البيت الأبيض. كذلك تلوح استثمارات TSMC الرأسمالية في الولايات المتحدة.
التأجير أسرع من إنشاء موقع جديد من الصفر. كما أنه الطريقة التي تنتهي بها شركة تعمل في مجال الذاكرة على خريطة طريق التصنيع الخاصة بشركة أخرى.
إذا كانت أوهايو للتغليف وEMIB-T، وليست لرقائق HBM فعلياً، فهل يخفف ذلك بالفعل عن عنق الزجاجة في CoWoS—أم أنه مجرد إضافة بند سياسي آخر داخل الولايات المتحدة؟
$INTC $SKHY $TSM