قالت شركة إنتل وشركة ASML في 8 سبتمبر إنهما تواصلان المضي قدماً في تطبيق التصنيع الشامل لاستخدام طباعة الليثوغرافيا بالأشعة فوق البنفسجية الشديدة عالية-العددية (High-NA EUV). وقالت إنتل إنها قامت بمعالجة أكثر من مليون شريحة من خلال مرحلة التأهيل المبكر للمعدات، والبحث والتطوير، وبعض خطوات الإنتاج الضخم، وأنه يتم بالفعل استخدام High-NA EUV في الإنتاج الشامل لبعض طبقات معالجات Core Ultra 3 «Panther Lake»، وفقاً لما ذكرته Jiemian News. وأضافت إنتل أيضاً أن المنتجات المصنوعة باستخدام High-NA EUV على عملية 18A تتمتع بأداء يطابق أو يفوق طبقات مماثلة مصنوعة باستخدام منصة EUV التقليدية ذات فتحة عددية 0.33. وقالت الشركتان إنهما ستواصلان العمل لنقل الأقنعة (الماسك) من التنسيق الحالي مقاس 6 بوصات إلى أقنعة أكبر مقاس 6×12 بوصة، مع استخدام أيضاً تقنية تجزئة/تركيب الأقنعة (mask stitching) لتمكين العملاء من الاستفادة من بعض مزايا High-NA EUV باستخدام أقنعة 6 بوصات الحالية.