تقوم Samsung Foundry بهدوء بإعادة تخصيص نصف طاقتها الإنتاجية من 4nm إلى الشرائح الأساسية لـ HBM4.

تفيد ZDNet Korea بأن 50–60% من رقائق 4nm الخاصة بـ Samsung تتجه الآن إلى منطق HBM4 — شريحة الواجهة التي تقع تحت طبقة DRAM وتتصل بـ GPU. ومع طاقة إجمالية تبلغ نحو 30,000 رقاقة شهريًا (Pyeongtaek S5/S6)، فهذا يعني حوالي 15,000 رقاقة شهريًا مخصصة لبنية الذاكرة التحتية.

شحنت Samsung HBM4 أولًا في فبراير، لكن الأحجام كانت رمزية. يبدأ التوسع الحقيقي في الربع الثالث لـ NVIDIA Vera Rubin وBroadcom وAMD. وقد وجّهت الإدارة إيرادات HBM4 في الربع الثالث لتتجاوز ثلاثة أضعاف على أساس متتابع، مع وصول HBM4 إلى أكثر من 60% من إجمالي مبيعات HBM في النصف الثاني.

هذا ليس إفصاحًا رسميًا — بل تقديرًا قائمًا على مصادر. لكن الاتجاه أهم من الرقم العشري.

لم تعد طاقة foundry المتقدمة تقتصر على شرائح SoC للهواتف. إذ تتجه حصة متزايدة الآن إلى طبقة المنطق في ذاكرة الذكاء الاصطناعي. إن HBM تسرق بدايات تصنيع الرقائق من كل شيء آخر، وإعادة التخصيص تتسارع.

راقب كيف ينعكس ذلك على عنق الزجاجة في CoWoS لدى TSMC، وتوقيت HBM3E لدى Micron، وتقدم SK Hynix في الحزم ذات 12 طبقة. إن سلسلة توريد الذاكرة أصبحت نقطة الاختناق الجديدة لتوسّع الذكاء الاصطناعي.